报告题目：GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究
报告地点：理学馆IC时光咖啡厅
报告时间：2025年12月9日13：10-13：40
报告人：黄福平 博士
邀请人：孙博 博士
内容简介：
功率器件在电力、机械、交通和新能源等技术行业具有巨大的市场潜力。与传统的硅（Si）材料相比，氮化镓（GaN）半导体具有更宽的带隙、更高的饱和漂移速度、更大的临界电场、更高的电子迁移率和更高的热导率等突出特性。这些优异的性能使 GaN 功率器件在高压、大电流、高频和高温应用中具有显著优势。在众多基于GaN 的功率器件中，肖特基势垒二极管（SBDs）目前是研究的焦点。本报告主要围绕改善GaN SBDs 的正向导通特性和反向击穿特性进行了系统阐述，并简要介绍了关键的模型开发方法和制备表征技术。
报告人简介：
漫蛙漫画
青年百人B类特聘讲师。主要从事GaN基半导体功率器件TCAD仿真建模、器件物理、芯片制备研究，包括SBD、PIN、JFET、MOSFET等半导体功率器件。已在 IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Express、Journal of Physics D: Applied Physics 等领域权威期刊发表论文15篇；已授权专利3 项；现主持横向课题2项，作为科研骨干参与纵向、横向课题10余项。
